晶基股份有限公司
晶基股份有限公司的簡介
晶基股份有限公司登記設立日期是2007-01-17,目前的營業登記狀態: 核准設立,電話: 02-27260768,傳真: 02-27260356,營業登記地址: 臺北市大安區義安里敦化南路2段105號26樓 ( 地圖 ),統編(統一編號): 28465232,晶基股份有限公司負責人周江鴻將此店家登記為公司登記,營業稅籍分類屬於:醫療耗材批發,資本額: 10,500,000元。
大綱
- 晶基股份有限公司的簡介
- 商工登記基本資料
- 營業登記項目
- 財政部營業稅籍行業分類名稱及代號
- 核准變更資料 (7筆)
- 晶基於黃頁資料 (3筆)
- 相似姓名負責人的公司 (2筆)
- 相似名稱的政府開放資料 (20筆)
- 相似地址的政府開放資料 (8筆)
- 相似統編的政府開放資料 (1筆)
- 晶基股份有限公司的出進口廠商登記資料 (1筆)
- 晶基股份有限公司的地圖
- 相似名稱的公司 (7筆)
- 相似地址的公司商號 (7筆)
商工登記基本資料
統一編號 | 28465232 |
公司狀態 | 核准設立 |
公司名稱 | 晶基股份有限公司 |
資本額總額 | 10,500,000元 |
實收資本額 | 10,000,000元 |
負責人或代表人 | 周江鴻 |
聯絡電話 | 02-27260768 |
聯絡傳真 | 02-27260356 |
縣市鄉里 | 臺北市 大安區 義安里 敦化南路2段 |
登記地址 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 | [ 地圖 ] |
登記種類 | 公司登記 |
登記機關 | 臺北市政府 |
設立日期 | 2007-01-17 |
變更日期 | 2023-04-12 |
營業登記項目
F106010,五金批發業,F107200,化學原料批發業,F108031,醫療器材批發業,F203010,食品什貨、飲料零售業,F208031,醫療器材零售業,F213040,精密儀器零售業,F401010,國際貿易業,I301010,資訊軟體服務業,IG01010,生物技術服務業,ZZ99999,除許可業務外,得經營法令非禁止或限制之業務
財政部營業稅籍行業分類名稱及代號
457113,醫療耗材批發,462099,其他化學原材料及其製品批發,475113,醫療耗材零售
新北市 ■ 基隆市 ■ 臺北市 ■ 桃園市 ■ 新竹縣 ■ 新竹市 ■ 苗栗縣 ■ 臺中市 ■ 彰化縣 ■ 南投縣 ■ 雲林縣 ■ 嘉義縣 ■ 嘉義市 ■ 臺南市 ■ 高雄市 ■ 屏東縣 ■ 宜蘭縣 ■ 花蓮縣 ■ 臺東縣 ■ 澎湖縣 ■ 金門縣 ■ 連江縣
中正區 ■ 大同區 ■ 中山區 ■ 松山區 ■ 大安區 ■ 萬華區 ■ 信義區 ■ 士林區 ■ 北投區 ■ 內湖區 ■ 南港區 ■ 文山區
核准變更資料
日期 | 公司名稱 | 代表人 | 公司所在地 | 資本額(元) |
---|---|---|---|---|
# 102年05月公司變更登記清單2013-05-20 | 晶基股份有限公司 | 周江鴻 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 | 5000000 |
# 103年05月公司變更登記清單2014-05-01 | 晶基股份有限公司 | 周江鴻 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 | 8000000 |
# 104年11月公司變更登記清單2015-11-13 | 晶基股份有限公司 | 周江鴻 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 | 10000000 |
# 105年06月公司變更登記清單2016-06-15 | 晶基股份有限公司 | 周江鴻 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 | 10000000 |
# 108年04月公司變更登記清單2019-04-12 | 晶基股份有限公司 | 周江鴻 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 | 10500000 |
# 108年06月公司變更登記清單2019-06-28 | 晶基股份有限公司 | 周江鴻 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 | 10500000 |
# 112年04月公司變更登記清單2023-04-12 | 晶基股份有限公司 | 周江鴻 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 | 10500000 |
# 102年05月公司變更登記清單核准變更日期: 2013-05-20 | 公司名稱: 晶基股份有限公司 | 代表人: 周江鴻 | 公司所在地: 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 | 資本額(元): 5000000 |
# 103年05月公司變更登記清單核准變更日期: 2014-05-01 | 公司名稱: 晶基股份有限公司 | 代表人: 周江鴻 | 公司所在地: 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 | 資本額(元): 8000000 |
# 104年11月公司變更登記清單核准變更日期: 2015-11-13 | 公司名稱: 晶基股份有限公司 | 代表人: 周江鴻 | 公司所在地: 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 | 資本額(元): 10000000 |
# 105年06月公司變更登記清單核准變更日期: 2016-06-15 | 公司名稱: 晶基股份有限公司 | 代表人: 周江鴻 | 公司所在地: 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 | 資本額(元): 10000000 |
# 108年04月公司變更登記清單核准變更日期: 2019-04-12 | 公司名稱: 晶基股份有限公司 | 代表人: 周江鴻 | 公司所在地: 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 | 資本額(元): 10500000 |
# 108年06月公司變更登記清單核准變更日期: 2019-06-28 | 公司名稱: 晶基股份有限公司 | 代表人: 周江鴻 | 公司所在地: 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 | 資本額(元): 10500000 |
# 112年04月公司變更登記清單核准變更日期: 2023-04-12 | 公司名稱: 晶基股份有限公司 | 代表人: 周江鴻 | 公司所在地: 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 | 資本額(元): 10500000 |
晶基 於黃頁資料
(以下顯示 3 筆)
晶基股份有限公司電話: 04-2463-2155 | 地址: 台中市西屯區台中港路三段120號之53,12樓之6 |
晶基實業股份有限公司電話: 04-2526-1190 | 地址: 台中市豐原區隆豐街66巷1號 |
晶基股份有限公司電話: 06-312-0903 | 地址: 台南市永康區中華路1號之123,19樓 |
與周江鴻相似姓名負責人的公司
公司名稱 | 地址 | 負責人 | 狀態 |
---|---|---|---|
晶基股份有限公司 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 | 周江鴻 | 核准設立 |
膠原科技股份有限公司南科分公司 | 高雄市路竹區路科二路65號2樓 | 周江鴻 | 廢止 |
晶基股份有限公司 地址: 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 | 負責人: 周江鴻 | 狀態: 核准設立 |
膠原科技股份有限公司南科分公司 地址: 高雄市路竹區路科二路65號2樓 | 負責人: 周江鴻 | 狀態: 廢止 |
名稱 晶基 的政府開放資料
一種磊晶基極的雙極性電晶體製程 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 李傳英 | 證書號碼: 6589849 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
磊晶基板的製造方法(國立中興大學工學院材料系) | 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟:先形成一圖樣化膜層於一基板上,使基板露出部分預定區域,接著自基板側向磊晶形成一缺陷處呈週期性的第一磊晶層,然後塗佈光阻於第一磊晶層並以圖樣化膜層為光罩,將光阻圖樣化... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
薄膜電晶體顯示器之製作方法 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 96 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 黃良瑩 李正中 何家充 廖奇璋 | 證書號碼: I279006 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
薄膜電晶體顯示器之製作方法 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 黃良瑩 李正中 何家充 廖奇璋 | 證書號碼: 7,297,576 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
薄膜晶體管顯示器的制作方法 | 核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 李正中, 何家充, 廖奇璋 | 證書號碼: ZL200510077620.6 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
太陽能電池製造方法 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院綠能所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 專利發明人: 王珽玉 ,林景熙 ,孫佳涼 ,張維倫 | 證書號碼: I459575 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
低表面缺陷密度之磊晶基板(國立中興大學工學院材料系) | 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板包含一基材、一第一磊晶層及複數阻擋塊,該第一磊晶層側向磊晶於該基材上且與該基材晶格不匹配,包括複數缺陷處、複數分別相對位於該等缺陷處頂端的第一凹洞,及一圍繞界定該等第一凹洞... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
光電元件之磊晶基板的分離方法(國立中興大學工學院材料系) | 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 本發明提供光電元件之磊晶基板的分離方法,先於磊晶基材上形成具有多數間隔之膜體結構的犧牲膜後側向磊晶形成磊晶層,接著在磊晶層上形成將磊晶層定義出多數具有頂面之磊晶膜的遮罩層,再利用遮罩層的分隔自每一頂面... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來高效率發光元件的應用市場 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法(國立中興大學工學院材料系) | 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法:先自一晶格不匹配的基材側向磊晶,形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層,再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻,將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞,使該第一... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
低表面缺陷密度之磊晶基板及其製造方法(國立中興大學工學院材料系) | 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法:先自一晶格不匹配的基材側向磊晶,形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層,再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻,將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞,使該第一... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
矽晶基板之微小反射鏡加工法 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 蘇忠傑 | 證書號碼: 6,695,455 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
氮化鎵基板 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 缺陷密度(EPD)≦1×107cm-2、厚度≧350um、適合磊晶使用的Free-standing氮化鎵基板。 | 潛力預估: 目前世界上可提供氮化鎵基板的廠商僅日本住友一家。光電所已建立以HVPE磊晶成長氮化鎵厚膜的技術,並已獲得低缺陷密度且厚度大於75um的氮化鎵厚膜。預期未來技術趕上世界水準,並提供氮化鎵元件磊晶所需之基... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
氮化鎵基板技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 缺陷密度(EPD)≦1×107cm-2、厚度≧350um、適合磊晶使用的Free-standing氮化鎵基板 | 潛力預估: 目前世界上可提供氮化鎵基板的廠商僅日本住友一家。本技術已建立以HVPE磊晶成長氮化鎵厚膜的技術,並已獲得低缺陷密度且厚度大於75um的氮化鎵厚膜。預期未來技術趕上世界水準,並提供氮化鎵元件磊晶所需之基... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
氮化物半導體結構及其製造方法 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 紀東煒 ,趙主立 ,蔡政達 | 證書號碼: I386981 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
氮化鎵基板 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 高效能半導體光源及應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 缺陷密度(EPD)≦1×107cm-2、厚度≧350um、適合磊晶使用的Free-standing氮化鎵基板。 | 潛力預估: 低缺陷密度且Free Standing GaN基板的獲得,對於高效率UV-LED與高品質藍紫光LD元件是不可或缺的,所以此一技術在國內的開發成功,不僅能突破目前國際上對於GaN元件的專利封鎖,更能加速... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高階歐傑電子暨光電子能譜儀分析技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 以高階歐傑電子暨光電子能譜儀分析技術分析如PBGA、PCB.基板或封裝表面/薄膜深度~5nm,微區分析解析 | 潛力預估: 可應用在新一代之封裝製程中,如無鉛覆晶基板或封裝(FCBGA)、CPU基板或封裝等 。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
微晶生物科技股份有限公司 | 屆別: 第9屆 | 公司名稱(英文): U-VISION BIOTECH INC. | 得獎標的(中文): 微晶基因微陣列晶片玻璃載體 @ 創新研究獎 |
台灣萬代南夢宮有限公司 | 統一編號: 80176331 | 電話號碼: 02-25214368 | 臺北市松山區民生東路3段156號8樓之2 @ 出進口廠商登記資料 |
晶基實業股份有限公司 | 統一編號: 86094532 | 電話號碼: 04-25262261 | 臺中市豐原區豐原里隆豐街六六巷一號 @ 出進口廠商登記資料 |
晶基股份有限公司 | 統一編號: 28465232 | 電話號碼: 02-27260768 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 @ 出進口廠商登記資料 |
一種磊晶基極的雙極性電晶體製程核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 李傳英 | 證書號碼: 6589849 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
磊晶基板的製造方法(國立中興大學工學院材料系)執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟:先形成一圖樣化膜層於一基板上,使基板露出部分預定區域,接著自基板側向磊晶形成一缺陷處呈週期性的第一磊晶層,然後塗佈光阻於第一磊晶層並以圖樣化膜層為光罩,將光阻圖樣化... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
薄膜電晶體顯示器之製作方法核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 96 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 黃良瑩 李正中 何家充 廖奇璋 | 證書號碼: I279006 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
薄膜電晶體顯示器之製作方法核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 黃良瑩 李正中 何家充 廖奇璋 | 證書號碼: 7,297,576 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
薄膜晶體管顯示器的制作方法核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 李正中, 何家充, 廖奇璋 | 證書號碼: ZL200510077620.6 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
太陽能電池製造方法核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院綠能所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 專利發明人: 王珽玉 ,林景熙 ,孫佳涼 ,張維倫 | 證書號碼: I459575 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
低表面缺陷密度之磊晶基板(國立中興大學工學院材料系)執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板包含一基材、一第一磊晶層及複數阻擋塊,該第一磊晶層側向磊晶於該基材上且與該基材晶格不匹配,包括複數缺陷處、複數分別相對位於該等缺陷處頂端的第一凹洞,及一圍繞界定該等第一凹洞... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
光電元件之磊晶基板的分離方法(國立中興大學工學院材料系)執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 本發明提供光電元件之磊晶基板的分離方法,先於磊晶基材上形成具有多數間隔之膜體結構的犧牲膜後側向磊晶形成磊晶層,接著在磊晶層上形成將磊晶層定義出多數具有頂面之磊晶膜的遮罩層,再利用遮罩層的分隔自每一頂面... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來高效率發光元件的應用市場 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法(國立中興大學工學院材料系)執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法:先自一晶格不匹配的基材側向磊晶,形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層,再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻,將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞,使該第一... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
低表面缺陷密度之磊晶基板及其製造方法(國立中興大學工學院材料系)執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法:先自一晶格不匹配的基材側向磊晶,形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層,再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻,將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞,使該第一... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
矽晶基板之微小反射鏡加工法核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 蘇忠傑 | 證書號碼: 6,695,455 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
氮化鎵基板執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 缺陷密度(EPD)≦1×107cm-2、厚度≧350um、適合磊晶使用的Free-standing氮化鎵基板。 | 潛力預估: 目前世界上可提供氮化鎵基板的廠商僅日本住友一家。光電所已建立以HVPE磊晶成長氮化鎵厚膜的技術,並已獲得低缺陷密度且厚度大於75um的氮化鎵厚膜。預期未來技術趕上世界水準,並提供氮化鎵元件磊晶所需之基... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
氮化鎵基板技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 缺陷密度(EPD)≦1×107cm-2、厚度≧350um、適合磊晶使用的Free-standing氮化鎵基板 | 潛力預估: 目前世界上可提供氮化鎵基板的廠商僅日本住友一家。本技術已建立以HVPE磊晶成長氮化鎵厚膜的技術,並已獲得低缺陷密度且厚度大於75um的氮化鎵厚膜。預期未來技術趕上世界水準,並提供氮化鎵元件磊晶所需之基... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
氮化物半導體結構及其製造方法核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 紀東煒 ,趙主立 ,蔡政達 | 證書號碼: I386981 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
氮化鎵基板執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 高效能半導體光源及應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 缺陷密度(EPD)≦1×107cm-2、厚度≧350um、適合磊晶使用的Free-standing氮化鎵基板。 | 潛力預估: 低缺陷密度且Free Standing GaN基板的獲得,對於高效率UV-LED與高品質藍紫光LD元件是不可或缺的,所以此一技術在國內的開發成功,不僅能突破目前國際上對於GaN元件的專利封鎖,更能加速... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高階歐傑電子暨光電子能譜儀分析技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 以高階歐傑電子暨光電子能譜儀分析技術分析如PBGA、PCB.基板或封裝表面/薄膜深度~5nm,微區分析解析 | 潛力預估: 可應用在新一代之封裝製程中,如無鉛覆晶基板或封裝(FCBGA)、CPU基板或封裝等 。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
微晶生物科技股份有限公司屆別: 第9屆 | 公司名稱(英文): U-VISION BIOTECH INC. | 得獎標的(中文): 微晶基因微陣列晶片玻璃載體 @ 創新研究獎 |
台灣萬代南夢宮有限公司統一編號: 80176331 | 電話號碼: 02-25214368 | 臺北市松山區民生東路3段156號8樓之2 @ 出進口廠商登記資料 |
晶基實業股份有限公司統一編號: 86094532 | 電話號碼: 04-25262261 | 臺中市豐原區豐原里隆豐街六六巷一號 @ 出進口廠商登記資料 |
晶基股份有限公司統一編號: 28465232 | 電話號碼: 02-27260768 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 @ 出進口廠商登記資料 |
地址 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 的政府開放資料
一擊遊戲股份有限公司 | 統一編號: 54311109 | 電話號碼: 02-25815922 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 @ 出進口廠商登記資料 |
梅翠思生物科技股份有限公司 | 統一編號: 24322966 | 電話號碼: 02-27113299 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 @ 出進口廠商登記資料 |
芬格國際股份有限公司 | 統一編號: 42638869 | 電話號碼: 02-27893777 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 @ 出進口廠商登記資料 |
膠原生醫股份有限公司 | 統一編號: 94176038 | 電話號碼: 7711-3299 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 @ 出進口廠商登記資料 |
膠原科技股份有限公司台北辦事處 | 電話: 77113299 | 種類: 販賣業 | 開業狀態: 開業 | 臺北市大安區敦化南路二段105號26樓 @ 醫療器材商資料集 |
膠原科技股份有限公司 | 電話: 77113299 | 種類: 販賣業 | 開業狀態: 歇業 | 臺北市大安區敦化南路二段105號26樓 @ 醫療器材商資料集 |
毅有生技醫藥股份有限公司 | 電話: | 種類: 販賣業 | 開業狀態: 歇業 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 @ 醫療器材商資料集 |
晶基股份有限公司 | 電話: 0985725113 | 種類: 販賣業 | 開業狀態: 開業 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 @ 醫療器材商資料集 |
一擊遊戲股份有限公司統一編號: 54311109 | 電話號碼: 02-25815922 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 @ 出進口廠商登記資料 |
梅翠思生物科技股份有限公司統一編號: 24322966 | 電話號碼: 02-27113299 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 @ 出進口廠商登記資料 |
芬格國際股份有限公司統一編號: 42638869 | 電話號碼: 02-27893777 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 @ 出進口廠商登記資料 |
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統編 28465232 的政府開放資料
晶基股份有限公司 | 統一編號: 28465232 | 核准日期: 20091201 @ 僑外資、陸資來臺投資國內事業清冊 |
晶基股份有限公司統一編號: 28465232 | 核准日期: 20091201 @ 僑外資、陸資來臺投資國內事業清冊 |
晶基股份有限公司的出進口廠商登記資料
晶基股份有限公司出進口廠商登記資料
統一編號 | 28465232 |
原始登記日期 | 20090320 |
核發日期 | 20230414 |
廠商中文名稱 | 晶基股份有限公司 |
廠商英文名稱 | GENE BIODESIGN CO., LTD. |
中文營業地址 | 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 |
英文營業地址 | 26 F., No. 105, Sec. 2, Dunhua S. Rd., Da’an Dist., Taipei City 106424, Taiwan (R.O.C.) |
代表人 | 周O鴻 |
電話號碼 | 02-27260768 |
傳真號碼 | 02-27260356 |
進口資格 | 有 |
出口資格 | 有 |
統一編號: 28465232 |
原始登記日期: 20090320 |
核發日期: 20230414 |
廠商中文名稱: 晶基股份有限公司 |
廠商英文名稱: GENE BIODESIGN CO., LTD. |
中文營業地址: 臺北市大安區敦化南路2段105號26樓 |
英文營業地址: 26 F., No. 105, Sec. 2, Dunhua S. Rd., Da’an Dist., Taipei City 106424, Taiwan (R.O.C.) |
代表人: 周O鴻 |
電話號碼: 02-27260768 |
傳真號碼: 02-27260356 |
進口資格: 有 |
出口資格: 有 |
晶基股份有限公司的地圖
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晶基實業股份有限公司 | 臺中市豐原區豐原里隆豐街六六巷一號 | 陳深潭 | 核准設立 |
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